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| Nome | Valor |
|---|---|
| status do produto | Active |
| tipo de feto | 4 N-Channel, Common Source |
| característica fet | Silicon Carbide (SiC) |
| tensão de dreno para fonte (vdss) | 1200V |
| corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 150A |
| rds em (máx.) @ id, vgs | 16mOhm @ 80A, 20V |
| vgs(th) (máx.) @ id | 2.8V @ 2mA |
| taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | 464nC @ 20V |
| capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 6040pF @ 1000V |
| potência - máx. | 560W |
| temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| tipo de montagem | Chassis Mount |
| pacote / caixa | Module |
| pacote de dispositivo do fornecedor | - |
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