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LND150N3-G-P013

LND150N3-G-P013

LND150N3-G-P013

MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3

compliant

LND150N3-G-P013 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.53900 $0.539
500 $0.53361 $266.805
1000 $0.52822 $528.22
1500 $0.52283 $784.245
2000 $0.51744 $1034.88
2500 $0.51205 $1280.125
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 500 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30mA (Tj)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 0V
rds em (máx.) @ id, vgs 1000Ohm @ 500µA, 0V
vgs(th) (máx.) @ id -
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 10 pF @ 25 V
característica fet Depletion Mode
dissipação de potência (máx.) 740mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-92-3
pacote / caixa TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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Número da peça relacionada

ECH8419-TL-H
ECH8419-TL-H
$0 $/pedaço
IPP60R600P6XKSA1
IRLR2705TRLPBF
IXFN140N30P
IXFN140N30P
$0 $/pedaço
IPD60R800CEAUMA1
BUK961R6-40E,118
MCU15N10A-TP

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