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JAN1N5809US

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DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

não conforme

JAN1N5809US Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
100 $9.57100 $957.1
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
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Nome Valor
status do produto Active
tipo de diodo Standard
tensão - dc reversa (vr) (máx.) 100 V
corrente - média retificada (io) 6A
tensão - direta (vf) (máx.) @ if 875 mV @ 4 A
velocidade Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tempo de recuperação reversa (trr) 30 ns
corrente - fuga reversa @ vr 5 µA @ 100 V
capacitância @ vr, f 60pF @ 10V, 1MHz
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa SQ-MELF, B
pacote de dispositivo do fornecedor B, SQ-MELF
temperatura de operação - junção -65°C ~ 175°C
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Número da peça relacionada

R53150
R53150
$0 $/pedaço
LSM340GE3/TR13
UES1105HR2
UES1105HR2
$0 $/pedaço
UCQ30A03
UCQ30A03
$0 $/pedaço
UT4005
UT4005
$0 $/pedaço
JANTX1N5189
G4S06508JT

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