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Nome | Valor |
---|---|
status do produto | Active |
tipo de feto | 2 N-Channel (Half Bridge) |
característica fet | Silicon Carbide (SiC) |
tensão de dreno para fonte (vdss) | 1200V (1.2kV) |
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 131A (Tc) |
rds em (máx.) @ id, vgs | 20mOhm @ 100A, 20V |
vgs(th) (máx.) @ id | 2.2V @ 5mA (Typ) |
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | 246nC @ 20V |
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 4750pF @ 1000V |
potência - máx. | 625W |
temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
tipo de montagem | Chassis Mount |
pacote / caixa | D-3 Module |
pacote de dispositivo do fornecedor | D3 |
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