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APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

MOSFET N-CH 800V 11A TO247

não conforme

APT11N80BC3G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $6.05000 $6.05
10 $5.40600 $54.06
100 $4.43290 $443.29
500 $3.58958 $1794.79
1,000 $3.02736 -
2 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 800 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 11A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 450mOhm @ 7.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.9V @ 680µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1585 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 156W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247 [B]
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

FCP190N65S3R0
FCP190N65S3R0
$0 $/pedaço
SQJA20EP-T1_BE3
SFT1431-TL-W
SFT1431-TL-W
$0 $/pedaço
RQ5E035BNTCL
RQ5E035BNTCL
$0 $/pedaço
FQU3N40TU
ZXM61N02FTC
ZXM61N02FTC
$0 $/pedaço
NTD30N02G
NTD30N02G
$0 $/pedaço
MSJAC11N65Y-TP

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