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SI2305-TP

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MOSFET P-CH 8V 4.1A SOT23

não conforme

SI2305-TP Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.07600 -
6,000 $0.06840 -
15,000 $0.06080 -
30,000 $0.05700 -
75,000 $0.05320 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 8 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4.1A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 90mOhm @ 2A, 1.8V
vgs(th) (máx.) @ id 900mV @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 15 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 350mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

RSE002P03TL
RSE002P03TL
$0 $/pedaço
PSMN1R1-40BS,118
SIHB21N65EF-GE3
NVD5C478NT4G
NVD5C478NT4G
$0 $/pedaço
SI7190ADP-T1-RE3

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