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MSJPF20N65-BP

MSJPF20N65-BP

MSJPF20N65-BP

MOSFET N-CH 650V 11A TO220F

compliant

MSJPF20N65-BP Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $5.83000 $5.83
500 $5.7717 $2885.85
1000 $5.7134 $5713.4
1500 $5.6551 $8482.65
2000 $5.5968 $11193.6
2500 $5.5385 $13846.25
5000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 20A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 380mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 901 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 31.3W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220F
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

FDMS7678
FDMS7678
$0 $/pedaço
IXTA1R6N100D2HV
IXTA1R6N100D2HV
$0 $/pedaço
SI4848DY-T1-GE3
SI8489EDB-T2-E1
NTS4101PT1G
NTS4101PT1G
$0 $/pedaço
SIR188LDP-T1-RE3
STF10LN80K5
STF10LN80K5
$0 $/pedaço
BUK6217-55C,118
BUK6217-55C,118
$0 $/pedaço
SIS862DN-T1-GE3

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