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MCMN2014HE3-TP

MCMN2014HE3-TP

MCMN2014HE3-TP

N-CHANNEL MOSFET, DFN2020-6LE

compliant

MCMN2014HE3-TP Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.51000 $0.51
500 $0.5049 $252.45
1000 $0.4998 $499.8
1500 $0.4947 $742.05
2000 $0.4896 $979.2
2500 $0.4845 $1211.25
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 12 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 15A
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 8V
rds em (máx.) @ id, vgs 8mOhm @ 5A, 8V
vgs(th) (máx.) @ id 1.1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 48 nC @ 8 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1791 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) -
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor DFN2020-6LE
pacote / caixa 6-VDFN Exposed Pad
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Número da peça relacionada

STU5N80K5
STU5N80K5
$0 $/pedaço
DMNH6008SPS-13
NTPF250N65S3H
NTPF250N65S3H
$0 $/pedaço
IRFPG42
IRFPG42
$0 $/pedaço
EFC4619R-A-TR
EFC4619R-A-TR
$0 $/pedaço
ON5278/C4127
ON5278/C4127
$0 $/pedaço
IRFP462
IRFP462
$0 $/pedaço

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