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LSIC1MO120G0120

LSIC1MO120G0120

LSIC1MO120G0120

Littelfuse Inc.

MOSFET SIC 1200V 18A TO247-4L

compliant

LSIC1MO120G0120 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 27A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 20V
rds em (máx.) @ id, vgs 150mOhm @ 14A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 7mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 63 nC @ 20 V
vgs (máx.) +22V, -6V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 113 pF @ 800 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 156W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247-4L
pacote / caixa TO-247-4
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Número da peça relacionada

BSS139 E6906
IRLR3103
IRLR3103
$0 $/pedaço
IRFZ34NSTRRPBF
IXFR70N15
IXFR70N15
$0 $/pedaço
NVATS5A113PLZT4G
NVATS5A113PLZT4G
$0 $/pedaço
IXTY08N120P
IXTY08N120P
$0 $/pedaço
MTP75N03HDL
MTP75N03HDL
$0 $/pedaço
IXFH20N60Q
IXFH20N60Q
$0 $/pedaço
FQB7N10LTM
FQB7N10LTM
$0 $/pedaço
IPI05N03LA

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