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Nome | Valor |
---|---|
status do produto | Active |
tipo de feto | P-Channel |
tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
tensão de dreno para fonte (vdss) | 40 V |
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 50mA |
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | 20V |
rds em (máx.) @ id, vgs | 250Ohm @ 100µA, 20V |
vgs(th) (máx.) @ id | 5V @ 10µA |
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | - |
vgs (máx.) | -6.5V |
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 3.5 pF @ 15 V |
característica fet | - |
dissipação de potência (máx.) | 350mW |
temperatura de operação | - |
tipo de montagem | Surface Mount |
pacote de dispositivo do fornecedor | SOT-143-4 |
pacote / caixa | TO-253-4, TO-253AA |
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