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3N163 DIE

3N163 DIE

3N163 DIE

P-CHANNEL, SINGLE ENHANCEMENT MO

SOT-23

não conforme

3N163 DIE Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.36000 $2.36
500 $2.3364 $1168.2
1000 $2.3128 $2312.8
1500 $2.2892 $3433.8
2000 $2.2656 $4531.2
2500 $2.242 $5605
10000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 50mA
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 20V
rds em (máx.) @ id, vgs 250Ohm @ 100µA, 20V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 10µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) -6.5V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3500 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) -
temperatura de operação -
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor Die
pacote / caixa Die
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Número da peça relacionada

R6011KND3TL1
R6011KND3TL1
$0 $/pedaço
APT22F80B
APT22F80B
$0 $/pedaço
SIHB5N80AE-GE3
SIHB5N80AE-GE3
$0 $/pedaço
SIHG17N60D-GE3
SIHG17N60D-GE3
$0 $/pedaço
IRFR2307ZTRLPBF
IXTY08N100P
IXTY08N100P
$0 $/pedaço
RS1G120MNTB
RS1G120MNTB
$0 $/pedaço

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