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IXTU02N50D

IXTU02N50D

IXTU02N50D

IXYS

MOSFET N-CH 500V 200MA TO251

compliant

IXTU02N50D Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
75 $2.81253 $210.93975
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 500 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 200mA (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 30Ohm @ 50mA, 0V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 25µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 120 pF @ 25 V
característica fet Depletion Mode
dissipação de potência (máx.) 1.1W (Ta), 25W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-251AA
pacote / caixa TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Número da peça relacionada

SKP202VR
SKP202VR
$0 $/pedaço
SIHD5N80AE-GE3
SIHD5N80AE-GE3
$0 $/pedaço
RE1L002SNTL
RE1L002SNTL
$0 $/pedaço
NTHD4N02FT1
NTHD4N02FT1
$0 $/pedaço
SIR510DP-T1-RE3
FDPF20N50T
FDPF20N50T
$0 $/pedaço
IPD80R4K5P7ATMA1
IRFH5302TRPBF

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