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IXTT69N30P

IXTT69N30P

IXTT69N30P

IXYS

MOSFET N-CH 300V 69A TO268

não conforme

IXTT69N30P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $7.79000 $233.7
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 300 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 69A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 49mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 180 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4960 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 500W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-268AA
pacote / caixa TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Número da peça relacionada

DMP31D7LFBQ-7B
IXTA1R6N100D2
IXTA1R6N100D2
$0 $/pedaço
BUK7E4R0-80E,127
BUK7E4R0-80E,127
$0 $/pedaço
STH240N10F7-6
STB14NK50ZT4
STB14NK50ZT4
$0 $/pedaço
DMN2028UFDF-7
STF33N60M6
STF33N60M6
$0 $/pedaço
IXFP90N20X3
IXFP90N20X3
$0 $/pedaço

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