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IXTT4N150HV

IXTT4N150HV

IXTT4N150HV

IXYS

MOSFET N-CH 1500V 4A TO268

não conforme

IXTT4N150HV Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $26.40000 $26.4
30 $22.44000 $673.2
120 $20.85600 $2502.72
510 $18.48000 $9424.8
40 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1500 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 44.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1576 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 280W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-268AA
pacote / caixa TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Número da peça relacionada

BUK962R8-60E,118
NTMJS0D8N04CLTWG
NTMJS0D8N04CLTWG
$0 $/pedaço
IXTK140N20P
IXTK140N20P
$0 $/pedaço
SIHP21N60EF-GE3
DMNH10H028SK3Q-13
IXTP2R4N120P
IXTP2R4N120P
$0 $/pedaço

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