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IXTT170N10P

IXTT170N10P

IXTT170N10P

IXYS

MOSFET N-CH 100V 170A TO268

compliant

IXTT170N10P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $9.38000 $9.38
30 $7.68767 $230.6301
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 170A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 9mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 198 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 6000 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 715W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-268AA
pacote / caixa TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Número da peça relacionada

DMNH6011LK3Q-13
IRFH8324TR2PBF
SIHB33N60ET5-GE3
IXFN50N120SIC
IXFN50N120SIC
$0 $/pedaço
DMP2065UQ-7
DMP2065UQ-7
$0 $/pedaço
PMPB29XPE,115
PMPB29XPE,115
$0 $/pedaço
FCP400N80Z
FCP400N80Z
$0 $/pedaço

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