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IXTT110N10P

IXTT110N10P

IXTT110N10P

IXYS

MOSFET N-CH 100V 110A TO268

compliant

IXTT110N10P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $5.28767 $158.6301
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 110A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 15mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3550 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 480W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-268AA
pacote / caixa TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Número da peça relacionada

IXTT60N20L2
IXTT60N20L2
$0 $/pedaço
DMN2300UFD-7
2SK4066-1E
2SK4066-1E
$0 $/pedaço
STD4NK80Z-1
STD4NK80Z-1
$0 $/pedaço
NTA7002NT1G
NTA7002NT1G
$0 $/pedaço
R6004PND3FRATL
NVMTS0D7N04CLTXG
NVMTS0D7N04CLTXG
$0 $/pedaço

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