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IXTT02N450HV

IXTT02N450HV

IXTT02N450HV

IXYS

MOSFET N-CH 4500V 200MA TO268

não conforme

IXTT02N450HV Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $22.00000 $22
30 $18.70000 $561
120 $17.38000 $2085.6
510 $15.40000 $7854
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 4500 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 200mA (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 750Ohm @ 10mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 6.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 10.4 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 256 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 113W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-268AA
pacote / caixa TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Número da peça relacionada

STD13NM60N
STD13NM60N
$0 $/pedaço
SI1469DH-T1-BE3
IXTP02N120P
IXTP02N120P
$0 $/pedaço
NDTL03N150CG
NDTL03N150CG
$0 $/pedaço
SISS65DN-T1-GE3
STP4NK60ZFP
STP4NK60ZFP
$0 $/pedaço
IPL60R105P7AUMA1
NTLUS3A90PZTAG
NTLUS3A90PZTAG
$0 $/pedaço

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