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IXTP64N10L2

IXTP64N10L2

IXTP64N10L2

IXYS

MOSFET N-CH 100V 64A TO220AB

não conforme

IXTP64N10L2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $18.21000 $18.21
500 $18.0279 $9013.95
1000 $17.8458 $17845.8
1500 $17.6637 $26495.55
2000 $17.4816 $34963.2
2500 $17.2995 $43248.75
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 64A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 32mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 100 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3620 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 357W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

IPU50R3K0CEBKMA1
STB6NK60Z-1
STB6NK60Z-1
$0 $/pedaço
IPP50R140CPXKSA1
NTMYS7D3N04CLTWG
NTMYS7D3N04CLTWG
$0 $/pedaço
CPH6311-TL-E
CPH6311-TL-E
$0 $/pedaço
NTMFS4945NT1G
NTMFS4945NT1G
$0 $/pedaço
FQD630TM
STD10LN80K5
STD10LN80K5
$0 $/pedaço
DMN3112SQ-7
DMN3112SQ-7
$0 $/pedaço

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