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IXTP2N60P

IXTP2N60P

IXTP2N60P

IXYS

MOSFET N-CH 600V 2A TO220AB

não conforme

IXTP2N60P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5.1Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 7 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 240 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 55W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220-3
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

IRFR3505PBF
NVMS4816NR2G
NVMS4816NR2G
$0 $/pedaço
ATP207-S-TL-H
ATP207-S-TL-H
$0 $/pedaço
SSR2N60BTM
IRF6218STRLPBF
SPB20N60S5ATMA1
IRF9530NSTRRPBF
IXFX38N80Q2
IXFX38N80Q2
$0 $/pedaço

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