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IXTP08N100D2

IXTP08N100D2

IXTP08N100D2

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB

compliant

IXTP08N100D2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.67000 $1.67
50 $1.35000 $67.5
100 $1.21500 $121.5
500 $0.94500 $472.5
1,000 $0.78300 -
2,500 $0.75600 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1000 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 800mA (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) -
rds em (máx.) @ id, vgs 21Ohm @ 400mA, 0V
vgs(th) (máx.) @ id -
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 14.6 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 325 pF @ 25 V
característica fet Depletion Mode
dissipação de potência (máx.) 60W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220-3
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

PMV37EN2R
PMV37EN2R
$0 $/pedaço
HUFA75321S3ST
STW24N60M6
STW24N60M6
$0 $/pedaço
DMN67D7L-7
DMN67D7L-7
$0 $/pedaço
BUK6D230-80EX
BUK6D230-80EX
$0 $/pedaço
FDP61N20
FDP61N20
$0 $/pedaço
SQ3418AEEV-T1_BE3
RZQ050P01TR
RZQ050P01TR
$0 $/pedaço

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