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IXTP02N50D

IXTP02N50D

IXTP02N50D

IXYS

MOSFET N-CH 500V 200MA TO220AB

não conforme

IXTP02N50D Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $4.68000 $4.68
50 $3.75760 $187.88
100 $3.42350 $342.35
500 $2.77220 $1386.1
1,000 $2.33800 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 500 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 200mA (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 30Ohm @ 50mA, 0V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 25µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 120 pF @ 25 V
característica fet Depletion Mode
dissipação de potência (máx.) 1.1W (Ta), 25W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220-3
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

FQPF7P06
SISA18ADN-T1-GE3
NVB5404NT4G
NVB5404NT4G
$0 $/pedaço
FQP7P06
FQP7P06
$0 $/pedaço
SI7119DN-T1-GE3
PMH1200UPEH
PMH1200UPEH
$0 $/pedaço
STU5N95K3
STU5N95K3
$0 $/pedaço
SQM50P03-07_GE3

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