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IXTN170P10P

IXTN170P10P

IXTN170P10P

IXYS

MOSFET P-CH 100V 170A SOT227B

compliant

IXTN170P10P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $26.00000 $26
10 $24.05000 $240.5
30 $22.10000 $663
100 $20.54000 $2054
250 $18.85000 $4712.5
500 $17.94000 $8970
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 170A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 12mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 240 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 12600 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 890W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Chassis Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-227B
pacote / caixa SOT-227-4, miniBLOC
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Número da peça relacionada

STP32N65M5
STP32N65M5
$0 $/pedaço
STP2NK100Z
STP2NK100Z
$0 $/pedaço
SQJA37EP-T1_BE3
2SK4222
2SK4222
$0 $/pedaço
STD3NK60ZT4
STD3NK60ZT4
$0 $/pedaço
DMP2067LVT-7
FDU6680
FDU6680
$0 $/pedaço
MCAC10H045Y-TP
PSMN018-80YS,115
SI7111EDN-T1-GE3

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