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IXTJ4N150

IXTJ4N150

IXTJ4N150

IXYS

MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247

não conforme

IXTJ4N150 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $7.44167 $223.2501
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1500 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.5A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 44.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1576 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 110W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

IXFA34N65X3
IXFA34N65X3
$0 $/pedaço
APT10035LLLG
DMN3300UQ-7
DMN3300UQ-7
$0 $/pedaço
STH315N10F7-2
APT60M75JLL
IPB024N08N5ATMA1
NTD78N03-35G
NTD78N03-35G
$0 $/pedaço
IXTQ60N20L2
IXTQ60N20L2
$0 $/pedaço

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