Welcome to ichome.com!

logo
Lar

IXTH6N120

IXTH6N120

IXTH6N120

IXYS

MOSFET N-CH 1200V 6A TO247

não conforme

IXTH6N120 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $8.26167 $247.8501
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.6Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 56 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1950 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 300W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247 (IXTH)
pacote / caixa TO-247-3
O carregamento do PDF falhou, você pode tentar abrir em uma nova janela para acessar [Abrir], ou clique para retornar

Número da peça relacionada

IRL540A
IRL540A
$0 $/pedaço
BSZ060NE2LSATMA1
NVMFS6H801NT3G
NVMFS6H801NT3G
$0 $/pedaço
PMN70XPEAX
PMN70XPEAX
$0 $/pedaço
IPW90R340C3XKSA1
NVTFWS9D6P04M8LTAG
NVTFWS9D6P04M8LTAG
$0 $/pedaço

Seu parceiro confiável em eletrônicos

Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.