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IXTH60N10

IXTH60N10

IXTH60N10

IXYS

MOSFET N-CH 100V 60A TO247

compliant

IXTH60N10 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $19.68600 $590.58
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 20mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3200 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 300W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247 (IXTH)
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

NVTFS5826NLWFTWG
NVTFS5826NLWFTWG
$0 $/pedaço
IRL3715ZSTRRPBF
SIR890DP-T1-GE3
BUK6Y20-30PX
BUK6Y20-30PX
$0 $/pedaço
MCH3374-TL-W
MCH3374-TL-W
$0 $/pedaço
NVTJD4105CT1G
NVTJD4105CT1G
$0 $/pedaço
STU95N3LLH6
STU95N3LLH6
$0 $/pedaço

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