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IXTH30N60P

IXTH30N60P

IXTH30N60P

IXYS

MOSFET N-CH 600V 30A TO247

compliant

IXTH30N60P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $7.28000 $7.28
30 $5.96567 $178.9701
120 $5.38350 $646.02
510 $4.51051 $2300.3601
1,020 $4.07400 -
247 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 240mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 82 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5050 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 540W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247 (IXTH)
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

SI7463DP-T1-GE3
SPD07N60C3ATMA1
SUM60N10-17-E3
SUM60N10-17-E3
$0 $/pedaço
IRF60DM206
SIHB100N60E-GE3
SUM65N20-30-E3
SUM65N20-30-E3
$0 $/pedaço
STW30NM50N
STW30NM50N
$0 $/pedaço

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