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IXTH2N150

IXTH2N150

IXTH2N150

IXYS

DISCMOSFET N-CH STD-HIVOLTAGE TO

compliant

IXTH2N150 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $10.80867 $10.80867
500 $10.7005833 $5350.29165
1000 $10.5924966 $10592.4966
1500 $10.4844099 $15726.61485
2000 $10.3763232 $20752.6464
2500 $10.2682365 $25670.59125
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1500 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 9.2Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 28 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 830 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 170W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247 (IXTH)
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

DMT6005LPS-13
NVHL065N65S3F
NVHL065N65S3F
$0 $/pedaço
NTMTS002N08MC
NTMTS002N08MC
$0 $/pedaço
IXFT24N90P-TRL
IXFT24N90P-TRL
$0 $/pedaço
FDZ663P
FDZ663P
$0 $/pedaço
STL28N60DM2
STL28N60DM2
$0 $/pedaço
HUF76121S3
HUF76121S3
$0 $/pedaço

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