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IXTH26N60P

IXTH26N60P

IXTH26N60P

IXYS

MOSFET N-CH 600V 26A TO247

não conforme

IXTH26N60P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $5.12500 $153.75
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 26A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 270mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 72 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4150 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 460W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247 (IXTH)
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

STW20NM60
STW20NM60
$0 $/pedaço
SCH1333-TL-H
SCH1333-TL-H
$0 $/pedaço
HUF76423D3
SIHB17N80AE-GE3
FDG311N
FDG311N
$0 $/pedaço
NTMTS1D6N10MCTXG
NTMTS1D6N10MCTXG
$0 $/pedaço

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