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IXTH10N100D2

IXTH10N100D2

IXTH10N100D2

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 10A TO247

não conforme

IXTH10N100D2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $9.89767 $296.9301
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1000 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 10A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.5Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id -
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 200 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5320 pF @ 25 V
característica fet Depletion Mode
dissipação de potência (máx.) 695W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247 (IXTH)
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

BUK9606-55B,118
IXTP300N04T2
IXTP300N04T2
$0 $/pedaço
DMG2307LQ-7
DMG2307LQ-7
$0 $/pedaço
IRFS7440TRLPBF
FDMC5614P
FDMC5614P
$0 $/pedaço
DMT6017LFV-7
IRF540ZPBF
IRF9510PBF-BE3
IRF9510PBF-BE3
$0 $/pedaço
DMT8008SK3-13

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