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IXTA6N50D2

IXTA6N50D2

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IXYS

MOSFET N-CH 500V 6A TO263

não conforme

IXTA6N50D2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $6.10000 $6.1
50 $4.90500 $245.25
100 $4.46900 $446.9
500 $3.61880 $1809.4
1,000 $3.05200 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 500 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) -
rds em (máx.) @ id, vgs 500mOhm @ 3A, 0V
vgs(th) (máx.) @ id -
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 96 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2800 pF @ 25 V
característica fet Depletion Mode
dissipação de potência (máx.) 300W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263AA
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

DMTH6016LFDFW-7
IPA65R225C7
ZXMP10A13FTA
STP50NF25
STP50NF25
$0 $/pedaço
SI5403DC-T1-GE3
TN5335K1-G
TN5335K1-G
$0 $/pedaço
PMPB100ENEA115
SIHD6N65E-GE3
SIHD6N65E-GE3
$0 $/pedaço
FQPF19N10
FQPF19N10
$0 $/pedaço

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