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IXTA6N100D2-TRL

IXTA6N100D2-TRL

IXTA6N100D2-TRL

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 6A TO263

compliant

IXTA6N100D2-TRL Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $5.17211 $5.17211
500 $5.1203889 $2560.19445
1000 $5.0686678 $5068.6678
1500 $5.0169467 $7525.42005
2000 $4.9652256 $9930.4512
2500 $4.9135045 $12283.76125
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1000 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6A (Tj)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 0V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.2Ohm @ 3A, 0V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 95 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2650 pF @ 25 V
característica fet Depletion Mode
dissipação de potência (máx.) 300W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263 (D2Pak)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

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