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IXTA64N10L2

IXTA64N10L2

IXTA64N10L2

IXYS

MOSFET N-CH 100V 64A TO263AA

não conforme

IXTA64N10L2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $10.60000 $10.6
50 $8.69200 $434.6
100 $7.84400 $784.4
500 $6.57200 $3286
1,000 $5.93600 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 64A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 32mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 100 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3620 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 357W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263 (D2Pak)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SI8401DB-T1-E3
SI8401DB-T1-E3
$0 $/pedaço
BUK9M24-40EX
BUK9M24-40EX
$0 $/pedaço
RUF025N02TL
RUF025N02TL
$0 $/pedaço
SIHA12N60E-E3
SIHA12N60E-E3
$0 $/pedaço
NVB60N06T4G
NVB60N06T4G
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2SK2848
2SK2848
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STB24NM60N
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