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IXTA60N10T-TRL

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IXTA60N10T-TRL

IXYS

MOSFET N-CH 100V 60A TO263

não conforme

IXTA60N10T-TRL Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.80000 $2.8
500 $2.772 $1386
1000 $2.744 $2744
1500 $2.716 $4074
2000 $2.688 $5376
2500 $2.66 $6650
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 18mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 50µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 49 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2650 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 176W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263 (D2Pak)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

FDMS8320LDC
FDMS8320LDC
$0 $/pedaço
FDBL0065N40
FDBL0065N40
$0 $/pedaço
RRH100P03TB1
RRH100P03TB1
$0 $/pedaço
IXFB82N60Q3
IXFB82N60Q3
$0 $/pedaço
IPL60R185C7AUMA1
RZQ045P01TR
RZQ045P01TR
$0 $/pedaço

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