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IXTA36N30P

IXTA36N30P

IXTA36N30P

IXYS

MOSFET N-CH 300V 36A TO263

não conforme

IXTA36N30P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.47000 $3.47
50 $2.79000 $139.5
100 $2.54200 $254.2
500 $2.05840 $1029.2
1,000 $1.73600 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 300 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 36A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 110mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2250 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 300W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263AA
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SIHG25N40D-GE3
SIHG25N40D-GE3
$0 $/pedaço
IRF7403TRPBF
SQJ860EP-T1_BE3
FCPF099N65S3
FCPF099N65S3
$0 $/pedaço
IRFS7730TRL7PP
IRFR9110PBF
IRFR9110PBF
$0 $/pedaço
BUK9615-100E,118
BUK9615-100E,118
$0 $/pedaço
BSS84-TP
BSS84-TP
$0 $/pedaço
PMV50ENEAR
PMV50ENEAR
$0 $/pedaço

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