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IXTA2R4N120P-TRL

IXTA2R4N120P-TRL

IXTA2R4N120P-TRL

IXYS

MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263

não conforme

IXTA2R4N120P-TRL Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $4.46028 $4.46028
500 $4.4156772 $2207.8386
1000 $4.3710744 $4371.0744
1500 $4.3264716 $6489.7074
2000 $4.2818688 $8563.7376
2500 $4.237266 $10593.165
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.4A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 7.5Ohm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 37 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1207 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 125W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263 (D2Pak)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SCT4062KRC15
SCT4062KRC15
$0 $/pedaço
SQ2364EES-T1_BE3
IRL2910PBF
AUIRF7675M2TR
SIR426DP-T1-GE3
NVMFS016N06CT1G
NVMFS016N06CT1G
$0 $/pedaço
EKI06051
EKI06051
$0 $/pedaço
RQ6C050UNTR
RQ6C050UNTR
$0 $/pedaço
IRF5305PBF
PSMN1R1-30PL,127

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