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IXTA180N10T7

IXTA180N10T7

IXTA180N10T7

IXYS

MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

não conforme

IXTA180N10T7 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
50 $3.30760 $165.38
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
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Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 180A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 151 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 6900 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 480W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263-7 (IXTA)
pacote / caixa TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Número da peça relacionada

FQU3N60TU
CSD25402Q3AT
CSD25402Q3AT
$0 $/pedaço
IPW60R017C7XKSA1
FDB44N25TM
FDB44N25TM
$0 $/pedaço
IXFX240N15T2
IXFX240N15T2
$0 $/pedaço
BUK962R1-40E,118
BUK962R1-40E,118
$0 $/pedaço
IPD025N06NATMA1
IRLI520GPBF
IRLI520GPBF
$0 $/pedaço
SIHP15N50E-BE3
SIHP15N50E-BE3
$0 $/pedaço
IRFZ46NSTRLPBF

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