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IXTA110N055T7

IXTA110N055T7

IXTA110N055T7

IXYS

MOSFET N-CH 55V 110A TO263-7

não conforme

IXTA110N055T7 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
50 $1.95000 $97.5
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 55 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 110A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 7mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 100µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 67 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3080 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 230W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263-7 (IXTA)
pacote / caixa TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Número da peça relacionada

2V7002LT3G
2V7002LT3G
$0 $/pedaço
SUM40N02-12P-E3
IRFZ40
IRFZ40
$0 $/pedaço
IPD05N03LB G
IRLR3114ZPBF
IXFQ24N50Q
IXFQ24N50Q
$0 $/pedaço

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