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IXFX170N20T

IXFX170N20T

IXFX170N20T

IXYS

MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247-3

não conforme

IXFX170N20T Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $9.38900 $281.67
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 170A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 11mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 4mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 265 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 19600 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1150W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PLUS247™-3
pacote / caixa TO-247-3 Variant
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Número da peça relacionada

2N7002-TP
2N7002-TP
$0 $/pedaço
BUK9M11-40HX
BUK9M11-40HX
$0 $/pedaço
NTS2101PT1G
NTS2101PT1G
$0 $/pedaço
RM40N100LD
RM40N100LD
$0 $/pedaço
STP40NF12
STP40NF12
$0 $/pedaço
IXFT70N20Q3
IXFT70N20Q3
$0 $/pedaço
SIHB053N60E-GE3
FQD5N30TF

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