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IXFT96N20P

IXFT96N20P

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IXYS

MOSFET N-CH 200V 96A TO268

não conforme

IXFT96N20P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $6.19100 $185.73
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
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Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 96A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 24mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 4mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 145 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4800 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 600W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-268AA
pacote / caixa TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Número da peça relacionada

SIHP22N60E-E3
SIHP22N60E-E3
$0 $/pedaço
SI2343DS-T1-GE3
SIHD2N80E-GE3
SIHD2N80E-GE3
$0 $/pedaço
NTE2984
NTE2984
$0 $/pedaço
MSC750SMA170B
ISP25DP06NMXTSA1

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