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IXFT30N60P

IXFT30N60P

IXFT30N60P

IXYS

MOSFET N-CH 600V 30A TO268

compliant

IXFT30N60P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $6.31400 $189.42
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 240mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 4mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 82 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4000 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 500W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-268AA
pacote / caixa TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Número da peça relacionada

IRFS510A
IRFR6215TR
IXFX15N100
IXFX15N100
$0 $/pedaço
BSF035NE2LQXUMA1
SIJ458DP-T1-GE3
R6015ANJTL
R6015ANJTL
$0 $/pedaço
IPU090N03L G
MTP20N15EG
MTP20N15EG
$0 $/pedaço
IPI16CN10N G

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