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IXFP22N65X2M

IXFP22N65X2M

IXFP22N65X2M

IXYS

MOSFET N-CH 650V 22A TO220

SOT-23

não conforme

IXFP22N65X2M Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
50 $2.76760 $138.38
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 22A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 145mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 1.5mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 37 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2190 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 37W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220 Isolated Tab
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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Número da peça relacionada

VN0300L-G
VN0300L-G
$0 $/pedaço
PSMN3R5-25MLDX
DMN2041L-7
DMN2041L-7
$0 $/pedaço
DMP21D0UFB4-7B
IRF7780MTRPBF
NTMFS5H409NLT1G
NTMFS5H409NLT1G
$0 $/pedaço
FQP6N80
FQP6N80
$0 $/pedaço
STH240N10F7-2

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