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IXFN64N60P

IXFN64N60P

IXFN64N60P

IXYS

MOSFET N-CH 600V 50A SOT227B

compliant

IXFN64N60P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
10 $22.03400 $220.34
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 50A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 96mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 8mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 200 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 12000 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 700W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Chassis Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-227B
pacote / caixa SOT-227-4, miniBLOC
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Número da peça relacionada

FDMS86550
FDMS86550
$0 $/pedaço
IXTP270N04T4
IXTP270N04T4
$0 $/pedaço
IRF8327STRPBF
IPA60R385CPXKSA1
IRF9630STRLPBF
IRF9630STRLPBF
$0 $/pedaço
DMTH4004SCTB-13
FDD8880
FDD8880
$0 $/pedaço
NTMFS5C645NLT3G
NTMFS5C645NLT3G
$0 $/pedaço

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