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IXFN180N10

IXFN180N10

IXFN180N10

IXYS

MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B

compliant

IXFN180N10 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $27.14000 $27.14
10 $25.10500 $251.05
30 $23.06900 $692.07
100 $21.44060 $2144.06
250 $19.67652 $4919.13
500 $18.72660 $9363.3
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 180A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 8mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 8mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 360 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 9100 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 600W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Chassis Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-227B
pacote / caixa SOT-227-4, miniBLOC
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Número da peça relacionada

FQU4P25TU
IPS03N03LA G
IXTC200N10T
IXTC200N10T
$0 $/pedaço
STN2NE10L
STN2NE10L
$0 $/pedaço
NTD60N02RT4
NTD60N02RT4
$0 $/pedaço
IRLU2905ZPBF
FDS8812NZ
FDS8812NZ
$0 $/pedaço
SIHB22N60S-GE3
SIHB22N60S-GE3
$0 $/pedaço
FQP2N40
FQP2N40
$0 $/pedaço

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