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IXFN170N30P

IXFN170N30P

IXFN170N30P

IXYS

MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B

compliant

IXFN170N30P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
10 $32.19000 $321.9
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 300 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 138A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 18mOhm @ 85A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 258 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 20000 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 890W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Chassis Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-227B
pacote / caixa SOT-227-4, miniBLOC
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Número da peça relacionada

ES6U1T2R
ES6U1T2R
$0 $/pedaço
STE53NC50
STE53NC50
$0 $/pedaço
SQD40P10-40L_GE3
SI3469DV-T1-GE3
STF10NM60ND
STF10NM60ND
$0 $/pedaço
HUF76121S3ST
IRFP460C
IRFSL4010PBF

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