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IXFH9N80Q

IXFH9N80Q

IXFH9N80Q

IXYS

MOSFET N-CH 800V 9A TO247AD

não conforme

IXFH9N80Q Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $7.72867 $231.8601
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
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Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 800 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.1Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 2.5mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 56 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2200 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 180W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247AD (IXFH)
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

IXTQ28N15P
IXTQ28N15P
$0 $/pedaço
IRLR014NTRL
IRFH7182TRPBF
SPB80N04S2L-03
IRF644N
IRF644N
$0 $/pedaço
IRLMS5703TR
IRLR3714
IRLR3714
$0 $/pedaço
IRFM220BTF_FP001
IRFM220BTF_FP001
$0 $/pedaço

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