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IXFH7N100P

IXFH7N100P

IXFH7N100P

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 7A TO247

não conforme

IXFH7N100P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $6.41667 $192.5001
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1000 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 6V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 47 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2590 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 300W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247 (IXTH)
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

IRFR7540PBF
RCJ510N25TL
RCJ510N25TL
$0 $/pedaço
PMZ390UN,315
PMZ390UN,315
$0 $/pedaço
2SK1427
2SK1427
$0 $/pedaço
HUF76143S3
NVMFS6H852NLT1G
NVMFS6H852NLT1G
$0 $/pedaço
RD3G500GNTL
RD3G500GNTL
$0 $/pedaço
IXTH6N150
IXTH6N150
$0 $/pedaço
MCU60N04A-TP

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