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IXFH20N80P

IXFH20N80P

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IXYS

MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD

não conforme

IXFH20N80P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $5.82200 $174.66
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 800 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 20A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 520mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 4mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 86 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4685 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 500W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247AD (IXFH)
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

IPL60R210P6AUMA1
NTMFS5C628NLT3G
NTMFS5C628NLT3G
$0 $/pedaço
NVBLS0D5N04M8TXG
NVBLS0D5N04M8TXG
$0 $/pedaço
STI76NF75
STI76NF75
$0 $/pedaço
STP80NF10
STP80NF10
$0 $/pedaço
NTJS3157NT1G
NTJS3157NT1G
$0 $/pedaço
2N7002A-7
2N7002A-7
$0 $/pedaço

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