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IXFH12N100Q

IXFH12N100Q

IXFH12N100Q

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD

compliant

IXFH12N100Q Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
50 $12.43200 $621.6
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1000 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.05Ohm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5.5V @ 4mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 90 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2900 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 300W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247AD (IXFH)
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

RSD220N06TL
RSD220N06TL
$0 $/pedaço
IRF7468TR
IRF7468TR
$0 $/pedaço
2N6796
2N6796
$0 $/pedaço
IXFH14N60P3
IXFH14N60P3
$0 $/pedaço
IXTV60N30T
IXTV60N30T
$0 $/pedaço
SI4362BDY-T1-E3
FDPF17N45T
FDPF17N45T
$0 $/pedaço
IPB80N04S2-H4
IRFZ48VPBF

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