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IXFH10N80P

IXFH10N80P

IXFH10N80P

IXYS

MOSFET N-CH 800V 10A TO247AD

SOT-23

não conforme

IXFH10N80P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $3.26267 $97.8801
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
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Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 800 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 10A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.1Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5.5V @ 2.5mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 40 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2050 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 300W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247AD (IXFH)
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

STW18NM80
STW18NM80
$0 $/pedaço
NTMS4177PR2G
NTMS4177PR2G
$0 $/pedaço
IPP65R125C7
ZVN4306AV
ZVN4306AV
$0 $/pedaço
IXFT220N20X3HV
IXFT220N20X3HV
$0 $/pedaço
SUD40N10-25-E3
SUD40N10-25-E3
$0 $/pedaço

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