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SPW11N60S5

SPW11N60S5

SPW11N60S5

N-CHANNEL POWER MOSFET

não conforme

SPW11N60S5 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.74000 $1.74
500 $1.7226 $861.3
1000 $1.7052 $1705.2
1500 $1.6878 $2531.7
2000 $1.6704 $3340.8
2500 $1.653 $4132.5
15052 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 11A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 380mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5.5V @ 500µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 54 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1460 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 125W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO247-3
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

CSD17311Q5
CSD17311Q5
$0 $/pedaço
MMBF4091
NTMFS4C08NT1G-001
NTMFS4C08NT1G-001
$0 $/pedaço
IRFPC50APBF
IRFPC50APBF
$0 $/pedaço
PSMN1R0-40YLDX
SIA106DJ-T1-GE3
FDD86102LZ
FDD86102LZ
$0 $/pedaço

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